極微少量欠陥のデバイス影響評価に関して『IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award』を受賞

佐藤好弘さんが、「プラズマ曝露によってシリコン基板中に生成される極微少量欠陥が超低リークデバイスに与える影響」について、第21回関西コロキアム・電子デバイスワークショップにて招待講演を行い、 IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Awardを受賞されました。